探测器

类型

线阵CMOS

探测光谱范围

200-1100 nm

有效像素

2048

像元尺寸

14μm×200μm

动态范围

10000:1

灵敏度

1300 V/(lx·s)

暗噪声

0.4mV/RMS

光学参数

波长范围

200-400nm，200-850nm，200-1000 nm等，不同范围可定制

光学分辨率

0.1-4 nm（取决于狭缝、光谱范围）

性噪比

>2000:1

动态范围

10000：1

工作温度

0-40 ^oC

工作湿度

< 90%RH

光路参数

光学设计

f/4 交叉非对称C-T光路

焦距

40 mm for incidence / 60 mm for   output

入射狭缝宽度

5、10、25、50、100、150、200 μm 可选，其他尺寸可定制

入射光接口

SMA905光纤接口、自由空间

电气参数

积分时间

0.1 ms - 130 second

数据输出接口

USB 2.0

ADC位深

16   bit

供电电源

DC4.5   to 5.5 V (type @5V)

工作电流

170mA@Typ.

存储温度

-20°C   to +70°C

操作温度

0°C   to +50°C

物理参数

尺寸

102×720×34 mm³

重量

0.2 kg

PN

Description

ATP2000

基本型

ATP2000P

高性能升级版本

ATP2000H

高速型（帧率>1Kfps）